질문있습니다.

==================▼질문 양식▼==================

질문하는 선생님 : (ex : 복지훈 선생님 )
질문하는 강의/교재명 : ( ex : 해커스 GSAT최신기출유형 )
질문하는 문제의 위치 : ( ex : p 155 3번 )

* 양식에 맞게 질문 작성해주셔야 상세한 답변을 받으실 수 있습니다.
* 수강하는 강의/교재에 대한 질문을 해주셔야 답변이 가능합니다.  
* 질문하고자하는 문제에 대한 정답/해설을 함께 올려주시면 빠른 답변이 가능합니다. 
* 수강하는 강의/교재에 대한 질문 답변만 가능합니다.

==================▼질문 작성▼==================

- 질문하는 선생님 : 김동민 선생님
- 질문하는 강의/교재명 : 반도체 핵심완성 소자/공정
- 질문하는 문제의 위치 : 1강 Energy band gap, 2강 Extrinsic semiconductor

- 질문 내용 : Energy band가 나누어지는 이유로 최외각 전자가 두원자간 공유결합(구속이라고 표현)이 되면서 V.B를 채운다는 말은 이해했습니다.

               그러나 한쪽 원자에 구속된 state가 C.B를 채운다는 말이 이해가가지 않습니다.

               1. 한쪽 원자에 구속된 State라는 말이 한쪽 원자에 구속된 전자라는 말과 동일한건가요?

               2. C.B는 원자에 아무 구속받지 않는 전자일 경우 마치 자유전자처럼 움직이는 Energy level이고 N type 도핑 시 공유결합이 된 전자는 V.B로 내려가고

                  공유결합되지 않은 전자는 공유결합의 구속이 없어서 V.B보다는 높은 에너지 준위이지만 자유전자는 아니므로 C.V보다 낮은 에너지 준위를 갖고

                  P type 도핑의 경우 Hole 공유 결합하기때문에 전자의 공유결합보다는 높은 에너지 준위를 갖아서 V.B보다 살짝 위에 있다고 생각해도 되나요??

                  (근데 이렇게 되면 N type 도핑시 도너 에너지 레벨이 C.B에 가까운지 이해가 안되고, P type 도핑시 전자가 없는데 홀을 공유결합했다는내용이 이해가 안됩니다. )                   머리가 복잡해서 서두없이 생각나는데로 적어봤는데 선생님이 말씀하신 개념을 좀 더 자세하게 설명해주셨으면 좋겠습니다.