==================¡åÁú¹® ¾ç½Ä¡å==================
Áú¹®ÇÏ´Â ¼±»ý´Ô : (ex : º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô )
Áú¹®ÇÏ´Â °ÀÇ/±³Àç¸í : ( ex : ÇØÄ¿½º GSATÃֽűâÃâÀ¯Çü )
Áú¹®ÇÏ´Â ¹®Á¦ÀÇ À§Ä¡ : ( ex : p 155 3¹ø )
* ¾ç½Ä¿¡ ¸Â°Ô Áú¹® ÀÛ¼ºÇØÁÖ¼Å¾ß »ó¼¼ÇÑ ´äº¯À» ¹ÞÀ¸½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
* ¼ö°ÇÏ´Â °ÀÇ/±³Àç¿¡ ´ëÇÑ Áú¹®À» ÇØÁÖ¼Å¾ß ´äº¯ÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
* Áú¹®ÇÏ°íÀÚÇÏ´Â ¹®Á¦¿¡ ´ëÇÑ Á¤´ä/Çؼ³À» ÇÔ²² ¿Ã·ÁÁÖ½Ã¸é ºü¸¥ ´äº¯ÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
* ¼ö°ÇÏ´Â °ÀÇ/±³Àç¿¡ ´ëÇÑ Áú¹® ´äº¯¸¸ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
==================¡åÁú¹® ÀÛ¼º¡å
- Áú¹®ÇÏ´Â ¼±»ý´Ô : ±èµ¿¹Î ¼±»ý´Ô
- Áú¹®ÇÏ´Â °ÀÇ/±³Àç¸í : ¹ÝµµÃ¼ Çٽɿϼº ¼ÒÀÚ/°øÁ¤
- Áú¹®ÇÏ´Â ¹®Á¦ÀÇ À§Ä¡ : 1° Energy band gap, 2° Extrinsic semiconductor
- Áú¹® ³»¿ë : Energy band°¡ ³ª´©¾îÁö´Â ÀÌÀ¯·Î ÃÖ¿Ü°¢ ÀüÀÚ°¡ µÎ¿øÀÚ°£ °øÀ¯°áÇÕ(±¸¼ÓÀ̶ó°í Ç¥Çö)ÀÌ µÇ¸é¼ V.B¸¦ ä¿î´Ù´Â ¸»Àº ÀÌÇØÇß½À´Ï´Ù.
±×·¯³ª ÇÑÂÊ ¿øÀÚ¿¡ ±¸¼ÓµÈ state°¡ C.B¸¦ ä¿î´Ù´Â ¸»ÀÌ ÀÌÇØ°¡°¡Áö ¾Ê½À´Ï´Ù.
1. ÇÑÂÊ ¿øÀÚ¿¡ ±¸¼ÓµÈ State¶ó´Â ¸»ÀÌ ÇÑÂÊ ¿øÀÚ¿¡ ±¸¼ÓµÈ ÀüÀÚ¶ó´Â ¸»°ú µ¿ÀÏÇÑ°Ç°¡¿ä?
2. C.B´Â ¿øÀÚ¿¡ ¾Æ¹« ±¸¼Ó¹ÞÁö ¾Ê´Â ÀüÀÚÀÏ °æ¿ì ¸¶Ä¡ ÀÚÀ¯ÀüÀÚó·³ ¿òÁ÷ÀÌ´Â Energy levelÀÌ°í N type µµÇÎ ½Ã °øÀ¯°áÇÕÀÌ µÈ ÀüÀÚ´Â V.B·Î ³»·Á°¡°í
°øÀ¯°áÇÕµÇÁö ¾ÊÀº ÀüÀÚ´Â °øÀ¯°áÇÕÀÇ ±¸¼ÓÀÌ ¾ø¾î¼ V.Bº¸´Ù´Â ³ôÀº ¿¡³ÊÁö ÁØÀ§ÀÌÁö¸¸ ÀÚÀ¯ÀüÀÚ´Â ¾Æ´Ï¹Ç·Î C.Vº¸´Ù ³·Àº ¿¡³ÊÁö ÁØÀ§¸¦ °®°í
P type µµÇÎÀÇ °æ¿ì Hole °øÀ¯ °áÇÕÇϱ⶧¹®¿¡ ÀüÀÚÀÇ °øÀ¯°áÇÕº¸´Ù´Â ³ôÀº ¿¡³ÊÁö ÁØÀ§¸¦ °®¾Æ¼ V.Bº¸´Ù »ì¦ À§¿¡ ÀÖ´Ù°í »ý°¢Çصµ µÇ³ª¿ä??
(±Ùµ¥ ÀÌ·¸°Ô µÇ¸é N type µµÇνà µµ³Ê ¿¡³ÊÁö ·¹º§ÀÌ C.B¿¡ °¡±î¿îÁö ÀÌÇØ°¡ ¾ÈµÇ°í, P type µµÇνà ÀüÀÚ°¡ ¾ø´Âµ¥ ȦÀ» °øÀ¯°áÇÕÇߴٴ³»¿ëÀÌ ÀÌÇØ°¡ ¾ÈµË´Ï´Ù. ) ¸Ó¸®°¡ º¹ÀâÇؼ ¼µÎ¾øÀÌ »ý°¢³ª´Âµ¥·Î Àû¾îºÃ´Âµ¥ ¼±»ý´ÔÀÌ ¸»¾¸ÇϽŠ°³³äÀ» Á» ´õ ÀÚ¼¼ÇÏ°Ô ¼³¸íÇØÁÖ¼ÌÀ¸¸é ÁÁ°Ú½À´Ï´Ù.