동민쌤 반도체 강의 MOSFET degradation 질문드립니다.

==================▼질문 양식▼==================

질문하는 선생님 : (ex : 복지훈 선생님 )
질문하는 강의/교재명 : ( ex : 해커스 GSAT최신기출유형 )
질문하는 문제의 위치 : ( ex : p 155 3번 )

* 양식에 맞게 질문 작성해주셔야 상세한 답변을 받으실 수 있습니다.
* 수강하는 강의/교재에 대한 질문을 해주셔야 답변이 가능합니다.  
* 질문하고자하는 문제에 대한 정답/해설을 함께 올려주시면 빠른 답변이 가능합니다. 
* 수강하는 강의/교재에 대한 질문 답변만 가능합니다.

==================▼질문 작성▼==================

- 질문하는 선생님 : 김동민 선생님

- 질문하는 강의/교재명 : 해커스잡 면접 반도체 핵심 완성

- 질문하는 문제의 위치 : MOSFET - 1 학습지 p 4

- 질문 내용 : 

안녕하세요 선생님.

MOSFET 파트 첫번째 강의 듣고 질문드립니다.

MOSFET degradation 즉 특성 열화를 가져오는 원인으로 두가지를 설명해주셨습니다.

첫번째가 trap에 의해 vt가 증가하고 gm이 감소하여 동일 전류를 위해 더 많은 전압 인가가 필요하기 때문에 특성 열화임을 이해했습니다.

그런데 두번째 TDDB에 의한 경우는 current양이 더 증가하는 것 아닌가요? 

Tunneling 현상에 의해 메탈에서 세미컨덕터로 이동하는 전자의 양이 많아질 것이고 그에 따라 반도체 표면 (채널)에서 더 많은 current가 흐르게 되면

trap에 의한 현상과는 반대로 current가 증가한다고 이해했습니다.

Tunneling에 의해 원하는 전압 전류 특성이 안나와서 degradation이라고 이해하면 될까요?

trap에 의한 degradation은 전류가 감소하는 방향, tunneling에 의한 degradation은 전류가 증가하는 방향이라 궁금해서 질문드립니다.