Degradation 발생원인
1. Carrier Trap 현상
Defect와 oxide 품질에 의해 전자가 oxide에 잡히게 되고 잡힌 전자에 의해 oxide가 charge를 띄게 되면서 Vth가 증가, transconductance가 감소하는 특성변화가 나타난다.
2. TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)
Tunneling이 되는 전자에 의해 oxide 내부에는 electron hole generation 현상이 발생하게 되고 전자는 semiconductor, 정공은 metal로 정렬되어 oxide 내부에 field가 형성되어 그에 의해 Energy band가 다시 한 번 변하는 현상을 말한다.
Short channel effect
지속적인 공정 미세화에 의해 발생되는 문제점
1. Vtn감소 -> Vth 자체 조절, body effect
2. Hot carrier effiect -> LDD(lightly doped drain)
3. DIBL(drain induced barrier lowering), Punch-through -> Halo doping
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