1~2¹ø ¹®Á¦´Â ¹ê´ÙÀ̾î±×·¥À» ÅëÇØ ½±°Ô Á¢±ÙÇÒ ¼ö ÀÖ¾ú½À´Ï´Ù.
3¹ø ¹®Á¦¿¡¼´Â ¾î¶² A->BÀÎ ¸íÁ¦´Â ¾î¶² B->A·Î ¹Ù²ð ¼ö ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» Àû¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ¾ú½À´Ï´Ù.
4~10¹øÀº ÁÖ¾îÁø Á¶°ÇµéÀ» ±×¸²À̳ª Ç¥·Î °æ¿ìÀÇ ¼öµéÀ» Á¤¸®ÇÑ ´ÙÀ½¿¡ º¸±â¸¦ Á¢±ÙÇÏ´Â °ÍÀÌ ÁÁ°Ú½À´Ï´Ù.
Etching °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë / Plasma ±èµ¿¹Î¼±»ý´Ô °ÀǸ¦ µé¾ú½À´Ï´Ù.
Etching °øÁ¤Àº ÇÊ¿ä¾ø´Â ºÎºÐÀ» Á¦°ÅÇÏ´Â °øÁ¤ÀÔ´Ï´Ù.
ÁÖ¿äÀÎÀÚ´Â 1. Etch rate(½Ä°¢·ü, ¼Óµµ) 2. Selectivity(¼±Åúñ) 3. Anisotropy(¹æÇ⼺)ÀÌ ÀÖ¾ú½À´Ï´Ù.
¹æ½Ä¿¡ µû¶ó Wet etching°ú Dry EtchingÀ¸·Î ³ª´µ¸ç, Wet EtchingÀº ÈÇйÝÀÀÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© isotropyÀÎ ´ÜÁ¡ÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
Dry EtchingÀº ¹°¸®Àû ¹æ½ÄÀÎ Sputtering, ÈÇÐÀû ¹æ½ÄÀÎ Plasma etching, µÎ °¡Áö¸¦ ÇÕÇÑ RIE°¡ ÀÖÀ¸¸ç, RIE¸¦ ÅëÇØ Anisotropic EtchingÀÌ °¡´ÉÇÏ°í, °øÁ¤ ¹Ì¼¼È°¡ °¡´ÉÇØÁý´Ï´Ù.
Plasma´Â ±âü »óÅÂÀÇ ºÐÀÚ³ª ¿öÀÚ°¡ ÀÌ¿ÂÈµÇ¾î ¾çÀ̿°ú ÀüÀÚ°¡ È¥ÀçµÇ¾î ÀÖ¾î¼ ºÎºÐÀûÀ¸·Î ±Ø¼ºÀ» ¶ç´Â »óŸ¦ ¸»ÇÕ´Ï´Ù.
Æļϰ¿¡ ÀÇÇϸé pd¿¡ µû¶ó ÇöóÁ°¡ ¹ß»ýÇϱâ À§ÇÑ ÃÖ¼ÒÀü¾ÐÀÌ ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ¾Ë ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
ÇöóÁ´Â DC¹æ½Ä°ú AC¹æ½ÄÀÌ ÀÖÀ¸¸ç, AC¹æ½ÄÀÌ DCº¸´Ù ³·Àº ¾Ð·Â¿¡¼ ÇöóÁ À¯Áö°¡ °¡´ÉÇÏ°í ÀÌ¿ÂÈ È¿À²ÀÌ ³ô½À´Ï´Ù