추리문제를 풀 때 주어진 조건을 보고 경우의 수를 정리하여서 보기를 접근하면 쉽게 해결할 수 있었습니다.
도형추리문제에서는 전체적인 도형을 보지말고 도형의 일부분 또는 색이나 무늬를 보고 분석하는 것이 좋습니다.
또한 3x3 칸 중 한 칸이 비어있는 경우 가로에 대한 변화인지 세로에 대한 변화인지 파악하는 것이 중요합니다.
알파벳에 대한 문제가 나올 때 A~Z까지 정리한 상태에서 해결해야 틀리지 않고 정확하고 빠르게 풀 수 있습니다.
긴 지문이 나오는 내용들은 넘겨짚거나 혼자생각하지말고 지문에 나온 내용으로만 해결하는 것이 좋겠습니다.
MOSFET(1), MOSFET(2) 김동민 선생님 강의를 들었습니다.
MOSFET의 정의와 Energband 구조를 알아보았습니다. MOSFET의 동작을 3영역으로 나누어 channel이 형성되는 것과 pinch-off되는 것을 짚어주셨습니다. Ideal MOSFET과 달리 real MOSFET는 Vth가 존재하여 그만큼 Vg가 더 인가되어야 합니다.
MOSFET은 1. Trap현상 2. 터널링에 의한 TDDB로 인해 Degradation이 발생하게 됩니다.
공정이 미세화됨에 따라 Short Cannel effect가 발생되는데, 크게 1. Vth roll-off 2. hot carrier effect 3. DIBL 4. Punch-through 가 있습니다. 각각에 대한 해결방안에 대해서도 배워서 정리했습니다.
공정미세화에 따라 Oxide 물질의 HKMG 변화와 Gate를 metal로 변화되는 것을 배웠습니다.
FinFET 구조와 공정의 어려움을 알게 되었습니다.
MOSCAP의 MOSFET와 차이점을 구조와 동작영역, 교류 특성으로 알게 되었습니다.
해당 게시글의 저작권은 작성자와 해커스잡 사이트에 있으며, 해커스잡에서 제작하는 자료 등에 활용 될 수 있습니다. 무단 도용 및 퍼가기를 금지합니다.
