이번 빡센스터디 해커스 반도체 수업은 Flash memory와 RAM에 대한 강의로 김동민 선생님의 마지막 수업이었습니다. 마지막 강의 역시 예상 기출문제로 답변의 방향성, 학습의 방향성을 잡아주셨습니다. NAND Flash memory의 예상 기출문제는 NAND Flash memory의 구동 원리에 대해 설명하시오와 3D NAND에 대해 설명하시오 였습니다. 또한 RAM은 DRAM의 구조와 구동 방식에 대해 설명하시오와 차세대 RAM에 대해 설명하시오가 예상기출문제였습니다. 그 중 3D NAND에 대해 설명해보자면, '3D NAND flash는 NAND flash memory의 발전 사항 중 1개이다. NAND flash memory는 floating gate에서 charge trap layer로 자기장 영역을 최소화하기 위해 변하는 양상이 있고 두번째로 집적도 향상을 위한 기술로 SLC, MLC, TLC, QLC로 바뀌는 양상을 가지고 있다. 세번째가 바로 3D NAND flash이다. 기존에 웨이퍼 위에 수평방향으로 만들어내던 NAND flash memory를 수직 방향으로 만들어내는게 3D NAND flash이다. MOSFET 소자가 몇층으로 쌓여있느냐에 따라 몇단인지 구분할 수 있고 장점으로는 집적도의 증가로 가격 경쟁령이 향상되지만 단점으로는 공적이 복잡해 불량률이 높아진다는 점이 있다.'
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