이번 9일차 빡센스터디 강의는 반도체 8대 공정 중 etching과 plasma에 관한 내용으로 김동민 선생님께서 강의를 진행해주셨습니다. 우선 예상 기출 문제로는 Dry ethcing과 wet ethcing에 대해 설명하시오와 plasma의 정의에 대해 설명하시오 였습니다.
예상 답변 : 우선 etching은 불필요한 것을 제거하는 공정으로, 속도와 선택비 방향성의 인자를 가집니다. anisotropy 즉 방향성은 1에 가까울 수록 원하는 방항으로만 식각이 된다는 것을 뜻하기 때문에 1에 가까울 수록 특성이 좋다고 할 수있습니다. wet etching과 dry etching은 방법에 따라 분류할 수 있는데 wet은 chemical한 방법을 사용하고 dry는 chemical + physical이 혼합된 형태의 방법을 사용합니다. wet etching의 장점은 낮은 비용, 빠른 속도 높은 선택성이지만 단점으로는 미세 패턴이 불가능하고 오염 가능성이 있습니다. 반면 dry etching은 anisotropy해 미세 패턴을 구현할 수 있는 장점이 있지만 비용이 높고 속도가 느린 단점을 가지고 있습니다. 플라즈마는 일종의 기체상태이지만 이온과 전자에 의해 전도체 성질을 가지는 제 4의 물질입니다. plasma는 파셴 곡선을 통해 pd와 V의 관계에서 플라즈마를 발생시키는 최소 전압을 계산할 수 있습니다.
해당 게시글의 저작권은 작성자와 해커스잡 사이트에 있으며, 해커스잡에서 제작하는 자료 등에 활용 될 수 있습니다. 무단 도용 및 퍼가기를 금지합니다.
