1. [GSAT] 수리논리 실전모의고사 2회(3)
- 자료 해석 문제
*11단의 법칙 이용해서 계산실수 줄이자
*보기가 모두 같은 그래프라면 특별히 다른 부분을 먼저 체크하자. 이 후, 쉬워보이는 계산으로 선지 지워나가가기.
💡 자료해석문제에서 각주를 체크하고 문제풀기에 들어가자. 문제풀이에 종종 사용되는데 습관적으로 바로 문제 풀이에 들어가 각주를 뒤늦게 확인하는 경우가 많다.
2. [반도체] Deposition 공정 세부 내용
Thin film Deposition 예상 기출 문제
- Deposition의 종류에 대해 설명하시오.
- CVD와 PVD의 종류와 원리, 장단점에 대해 설명하시오.
Deposition 공정은 얇은 박막(thin film)을 형성하는 공정으로 그 방식에 따라 PVD와 CVD로 나눌 수 있습니다.
먼저, PVD는 물리적인 방법을 이용해 증착 방식으로 Thermal Evaporation과 Sputtering이 있으며 공정이 단순하고 다양한 물질을 이용가능하다는 장점이 있지만, step coverage가 낮다는 단점이 있습니다.
(+ Thermal evaporation은 가열을 통해 물질을 기화시켜 증착시키는 방식으로 공정이 단순하고 다양한 물질을 이용할 수 있지만 접착성이 낮고 오염도가 높으며 step coverage가 낮습니다. Sputtering은 플라즈마를 이용해 증착시키고자 하는 물질의 입자를 튕겨내 기판에 붙게하는 방식으로 박막이 균일하고 두께 조절 및 특성 제어가 용이하지만 wafer가 손상될 수 있고, step coverage가 낮습니다.)
반면, CVD는 반응성 기체, precursor를 흘려주어 wafer 표면에 흡착시킨 후 화학적 반응을 통해 박막을 형성하는 방식으로 APCVD, LPCVD, PECVD, 그리고 HDPCVD, ALD 등이 있습니다. step coverage가 좋고 박막 두께 조절이 용이하지만 변수가 많아 공정이 복잡하다는 단점이 있습니다.
( + APCVD는 상압에서 저온으로 공정을 진행하며 장비가 간단하고 속도가 빠르지만 step coverage가 나쁩니다. LPCVD는 저압에서 고온으로 공정을 진행하며 균일도가 높고 step coverage가 좋지만 속도가 느립니다. 두 방식 모두 Batch 공정을 위해서는 reaction 단계가 반응 속도 결정 단계가 되어야 합니다. PECVD는 플라즈마를 이용하는 방식으로 저온에서 빠른 속도로 증착이 가능합니다. 그러나, 플라즈마에 의해 wafer가 손상 될 수 있고 impurity가 많으며 step coverage가 나쁩니다. 세 방식의 증착 속도를 비교하면 LPCVD, PECVD, APCVD 순으로 빠르며 PECVD의 온도가 증가함에 따라 반응속도가 증가하는 기울기가 더 큽니다.
HDPCVD는 PECVD보다 높은 밀도의 플라즈마를 사용하며 증착과 sputtering을 동시에 진행해 쌓고 깎는 과정을 반복하는 방식입니다. 때문에 void가 발생하지 않아 품질이 매우 높고 step coverage가 좋지만 속도는 느립니다. 마지막으로 ALD는 원자 한층 한층 쌓는 방식으로 precurosr 하나씩 넣고 빼고를 반복해 공정이 매우 정교하고 얇은 박막을 형성할 수 있으며 step coverage가 100%이지만, 속도가 매우 느리며 precursor가 제한적입니다.)
✍️ Deposition 공정의 종류와 각각의 원리 및 장단점을 배울 수 있는 시간이었다. 막연하게 PVD는 물리적, CVD는 화학적 방식으로만 구분할 수 있었는데 조금 더 자세한 세부내용을 알 수 있었고 Deposition 공정 예상 면접 문제에 대한 질문의 뼈대를 만들 수 있는 시간이었다.
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