6일차의 첫번째 강의는 GSAT 실전 모의고사 2회 수리논리 파트에 대한 문제 풀이였습니다.
지난주에 강의하셨던 계산팁이나 시간줄이는 방법을 실제로 직접 문제풀 때 적용해보았고 덕분에 푸는데 걸리는 시간이 많이 단축됬다고 생각하였습니다. 강의에서도 비슷한 방법으로 풀이를 해주셔서 다시한번 다양한 방법과 팁을 흡수할 수 있었던 시간이였습니다.
두번째 강의에서는 면접에서 반도체 8대 공정에 전반적인 내용을 물어볼 때 답변에 포함되어야 하는 키워드와 전반적인 내용에 대해 1주차보다 좀 더 자세하게 설명해 주셨습니다.
1. Wafer 제조 2. Oxidation 3. photo 공정 (photolithography) 4. Etching +a CMP 5. Deposition & Ion implantation 6. Metallization 7. EDS (Test) 8. Packaging 의 8단계에 대해서 설명해주셨습니다. 2~6까지 전공정 7,8을 후공정으로 부릅니다.
Wafer 제조의 경우 Single crystal Si 원판을 제조하는 방법으로 초크랄스키와 플로팅 존 방법을 각각 알아두어야 한다고 하셨으며 Oxidation 산화막을 형성하는 공정에서는 Dry와 Wet 방법이 있는데 각각 O2, H2O를 사용하는 방법으로 각각의 장점을 설명해주셨습니다. photo 공정의 경우 반도체 미세화 공정에서 가장 중요한 두가지 공정 중 하나로 Photo Mask에 그려진 회로 패턴을 wafer에 옮기는 공정입니다. 이때 사용되는 photo resist의 성질에 대해 설명해 주셨고 더 세부적인 내용은 추후 강의에서 설명해주신다 하셨습니다.
Etching 은 불필요한 부분을 제거하는 공정으로 이때도 Dry와 Wet 방법이 존재하는데 기체와 플라즈마를 사용하여 Etching 을 진행하는 Dry 공정이 많이 사용되는데 그 이유는 wet공정의 단점때문입니다. wet 공정의 경우 화학적 용액을 사용하는데 빠르게 원하는 부분만 제거가 가능하다는 장점이 있지만 단점으로는 isotropic한 성질 때문에 미세한 회로에 사용이 불가능하고 홈이 너무 작을 경우에는 표면장력에 의해 용액이 침투가 불가하다는 단점이 존재합니다. +a 공정인 CMP는 Wafer 표면의 산화막과 금속막 등의 박막을 평탄화하고 Etching 과 비슷하게 불필요한 부분을 제거하는 역할을 하기도 합니다.
Depo & Ion 공정은 photo 공정과 같이 가장중요한 공정으로 매우 얇은 poly si 막을 씌우고 다시 photo, etching , cmp 공정을 진행한 이후에 원하는 양만큼의 Ion을 원하는 위치에 주입하는 공정입니다. Ion 을 주입하는 방법으로 Ion을 큰힘으로 원하는 위치에 쏘게 되는데 이때 단점으로 웨이퍼의 표면이 손상된다거나 원치 않는 깊이까지 들어갈 수 있다는 단점, 이를 방지하기 위한 방법까지 설명해주셨습니다.
Metallization 공정은 전기가 흐를 수 있도록 전기 배선을 하는 공정입니다. Metal Deposition , photo, etching 공정을 걸쳐 전기 배선을 하는 공정입니다. EDS(Test) 공정에서 웨이퍼 단위를 검사하고 또 웨이퍼 안에 형성된 각각의 MOSFET 소자가 작동하는 지 작동여부를 검사하고 이를 Repair 가능 여부를 판단하여 고치는 과정입니다. 이때 중요한 Yield 양품율로 (제대로 작동가능한 칩의 수 / 전체 제작한 칩의 수) 계산합니다. 마무리로 Packaging 공정을 통해 완성된 반도체 소자를 포장하는 공정입니다.
1주차에 설명해주셨던 8대공정을 다시한번 좀 더 자세히 배울 수 있었던 시간이였습니다. 더 중요하고 어려운 photo 공정의 경우 내일 있을 강의를 통해서 헷갈리는 부분과 모르는 부분까지 알아갈 수 있을것 같습니다.
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