4일차의 첫번째 강의는 GSAT 실전모의고사 추리부분에 대한 강의였습니다.
밴다이어그램을 그려서 먼저 문제의 전제를 간편하고 보기 쉽게 정리한 이후에 보기에서 답을 찾는 풀이법으로 강의를 하셨습니다. 기존에 단순히 전제와 그 대우만을 통해서 정답을 찾던 저에게는 답으로 지정된 이외의 보기도 논리상 말이 되는데 왜 정답이 아닌지 의문을 갖고 있었는데 그 부분도 해결할 수 있는 시간이 되었습니다.
두번째 강의는 Energy band와 Fermi level, p-n junction의 변화에 대해서 설명해주셨습니다.
Energy band의 경우 설명하기 위해 필수로 들어가야 하는 키워드로 파울리-베타 원리와 전자 E-준위를 뽑아주셨습니다. 원자가 가지고있는 전자들이 껍질에 위치하고 있고 다른 원자와 가까워질수록 최외각 껍질이 겹쳐지는 오버랩이 일어나게 되면서 에너지 준위가 겹쳐지게 되고 파울리-베타 원리에 의해 에너지 준위가 하나의 일직선 상에 위치할 수 없기 때문에 굉장히 가까운 두줄의 형태로 존재하게 됩니다. 이 원자의 수가 두개가 아닌 셀 수 없이 많아지게 되면서 줄이 가까운 두줄이 아닌 수 많은 줄이 생기게되고 어느순간 마치 띄처럼 보여지게 되는것이 Energy band 입니다. 전자 껍질이 오버랩되는 시점에 전자들의 밴드와 state들의 밴드가 생기게 되면서 그 사이에 band gap 이 생기게됩니다.
Energy band에 따라서 도체, 부도체, 반도체의 정의에 대해서도 설명해 주셨습니다.
Fermi level 에 대해서는 키워드로 1/2 (50%), 가상 으로 뽑으셨고 Electron(전자)를 발견할 확류이 1/2이 되는 가상의 Energy level이라고 설명해 주셨습니다. 또한 Energy band 안에 Electron (hole)의 분포를 나타내는 공식과 이에 연결하여 p-n junction에 대해서 설명해주셨습니다. p-type 반도체와 n-type 반도체를 접합시켜서 Depletion layer를 형성하고 각각에서 Energy level, Fermi level의 변화에 대한 그림으로 설명하는 방법에 대해서 강의하셨습니다.
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