3일차의 첫번째 강의는 GSAT 실전모의고사 1회 마무리를 통해 수리논리 부분에 대한 강의였습니다.
문제를 보고 계산이 필요없는 간단한 보기를 보고 먼저 경우를 줄여나가는 등의 실전에서 사용할 수 있는 다양한 시간관리 팁들을 배울 수 있었습니다.
두번째 강의는 반도체 8대 공정에 대해서 설명해 주셨습니다.
8대 공정으로는 1 Wafer제조, 2 Oxidation(산화), 3 Photolithography(포토공정), 4 Etching(식각), 5-1 Thin Film Deposition(박막증착), 5-2 Ion implantation(이온공정), 6 Metallization(금속배선), 7 EDS(검사), 8 Packaging 이 있으며 +a로 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 까지 반도체 칩을 완성시키기 위한 한 사이클입니다.
Wafer제조는 Czochralski method 와 Floating method 라는 제조방법을 통해서 잉곳(Ingot)을 제조하고 이 잉곳을 절단하여 표면을 연마하여 만들어냅니다. Oxidation(산화)과정을 통해 실리콘 위에 산화막(SiO2)을 입히고 가장 중요한 공정2가지 중 하나인 Photolithography(포토공정)에서 포토레지스트 코팅을 입히고 원하는 패턴을 올리고 빛을 쏴서 빛을 받은 부분의 성질을 변화시켜 나머지 부분을 제거하는 현상 과정을 걸친다. 이후 Etching(식각)과정을 통해 기판상의 불필요한 부분을 제거시킨다. 이때 화학용액을 통해 제거시키면 습식식각 입자를 쏴서 물리적인 제거를 시키면 건식식각으로 분류한다. Thin Film Deposition(박막증착)이라는 중요한 공정을 통해 얇은 막을 형성시키고 Ion implantation(이온공정)과정에서 전기 전도도를 제어할 수 있는 불순물을 주입시킨다. Metallization(금속배선)에서 회로 패턴을 따라 전기 배선하는 작업을 거치고 EDS(검사)에서 웨이퍼 상태에서 칩의 양불판정을 통해 Repair 가능한경우 고쳐서 양품으로 불가능한 경우 Inking(표시)를 통해 불량을 판정하고 Packaging 과정을 거치면 반도체가 완성된다. +a인 CMP(Chemical Mechanical Polishing)라는 공정 중간중간에 후속 공정의 편의를 위해 표면을 갈아내거나 닦아내는 공정이 들어가게된다.
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