10일차 김동민 선생님의 강의는 메모리 반도체에 대해 배웠다. 2주동안 김동민 선생님의 강의가 정말정말정말 도움이 많이 되었다. 4년동안 학교에서 배웠던 반도체 강의를 핵심만 요약해서 정리해주시니 너무 좋았다.....재료과라서 메모리 반도체에 대해서는 자세하게 배우지 못했는데, 요즘 삼성과 하이닉스에서 개발연구에 주력하고 있다는 NAND FLASH산업에 대해 잘 배울 수 있어서 좋았다 ㅠ FLASH MEMORY는 게이트에 워드라인이 연결되어있고 소스에 비트라인이, 드레인은 capacitior에 연결되어 있어 정보를 쓰고,읽고,지울 수 있게 구동된다. 기본적인 구동원리 중 첫번째는 read이다. read는 게이트에 양전압을 가하면 채널을 형성하는 전자가 floationg gate로 trap되고 게이트 전압을 제거하면 채널은 사라지지만 트랩된 전자는 에너지가 부족해 다시 터널링 되지않고 트랩존에 잔존하게 된다. 반대로 게이트에 음전압을 가하면 트랩된 전자가 음전압에 의해 채널쪽으로 다시 터널링되어 플로팅존에 전자가 존재하지 않게 되어 데이터가 지워진다. 또한 정보를 읽는 read과정은 threshold voltage변화량에 의해 알 수 있는데, electron이 축적되어있는 경우에는 voltage가 커져 정보가 존재함을 알 수 있다. 또한 vertical NAND라 부를 수 있는 3D NAND는 수직으로 쌓는 형태이기 떄문에 좁은 면적의 많은 소자를 제작할 수 있다. 최근 128단을 성공하고 현재 160단에 도전중이라고 한다. 직접도가 증가하기 때문에 가격경쟁력이 향상되지만 단점은 공정의 복잡도가 증가하여 수율이감소할 수 있다. 장점이 단점보다 우세할 떄 높은 수준의 NAND FLASH를 제작할 수 있다. 또한 READ시 중요하게 동작하는 sensor amplifier에 대해서도 배웠다. wirte시에 전하차에 의해 BL-1에 전압이 가해지고, NMOS는 켜지고 PMOS는 꺼진다. 이에 따라 NMOS라인에 그라운드를 걸어주게 되면 BL-2라인이 NMOS가 켜져있기 때문에 그라운드되고, 위쪽에 위치한 NMOS와 PMOS에도 그라운드 상태로 들어가 BL-1라인이 또한 그라운드 전압이 가해진다. 따라서 전압은 다시 capacitior쪽으로 이동해 capacitor에 다시 전하가 축적되게 된다.
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