9일차 김동민 선생님의 반도체 강의는 Etching과 plasma에 대한 내용이다.
plasma는 기체에 에너지를 가한 제 4의 물질로 전체적으로 중성을 띄고 있지만 부분적으로 +전하와 -전하를 띄고있다.
에칭시에는 에칭속도와 선택비, 방향성의 중요한 3가지 요인이 존재하는데, wet etching은 화학물질을 이용하는 것이기 때문에 에천트에 따를 선택비가 좋고 에칭속도가 빠르다. 하지만 등방적으로 반응하기때문에, mask밑에 존재하는 wafer도 에칭될 가능성이 있어 미세패턴에 좋지않다. 또한 3마이크로미터 이하의 거리에 존재하는 소자는 에천트가 표면장력에 의해 마스크사이로 들어가지 못하고 방울져 맺혀있는 상태가 되기 때문에 미세화 공정에 올바르지 않은 에칭방법이다. dry에칭은 물리적 화학적 방법을 모두 사용하는 방식인데 진공인 chamber내에서 진행된다. 원하는 곳만 물리적 힘을 가해 제거하는 방법이기 때문에 anisotropy한 특성을 가지고 있고 미세패턴이 가능하다. 하지만 비용이 높고 속도가 낮다. 또한 물리적인 힘을 이용하는 것이므로 selectivity가 낮아 pr도 깎아낼 수 있다. dry etching은 sputtering과 plasma etching rie가 있는데 이들은 모두 플라즈마를 형성시켜 ion을 이용해 충돌시키는 방법이다. 따라서 plasma 형성 과정에 대해서도 학습했다
9일차 인적성 강의는 복지훈 선생님의 추리영역 해설강의였다. 추리영역은 아직까지 풀이방법이 잘 이해되지 않아서 문제는 따로 풀지않고 문제풀의 강의를 보면서 풀이를 이해하려고 노력하며 강의를 수강했다. 2번째 모의고사 해설강의를 수강하면서 자리배치와 대우를 이용해 푸는 문제에 대한 이해도가 높아졌다. 하지만 아직 문제 해결능력이 많이 부족하다고 느꼈다. 오늘 배운 내용 중 사진에서 보이는 참 거짓을 가리는 문제가 가장 어렵게 느껴졌다. 선생님이 풀이해주셨던 방법을 이용해 문제를 빠르고 정확하게 해결하는 연습을 많이 해야할 것 같다.
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