5일차 스터디는 김동민 선생님 반도체 강의로 mosfet에 대해 배웠습니다. 기본적으로 mosfet의 동작 원리와,degradation과 그 해결방안에 대해 mosfet(1) 시간에 학습했습니다. mosfet은 gate에 전압을 걸어 채널을 형성하여 drain전압을 조절해 드레인 전압을 흘려주고 게이트 전압과 드레인 전압이 같아졌을 때 pinch-off가 발생하여 saturation region이 형성되는 원리로 작동합니다. ideal한 상황에서 게이트전압이 0보다 클때 채널이 형성되지만 실생활에서의 모스펫은 게이트 전압에서 threshold 전압을 빼줬을 때 드레인전압이 됩니다.
두번째로 degradation이 발생하는 원인은 첫번째로 캐리어가 옥사이드 내 trap되는 현상에 의해 발생합니다
이는 defect와 oxide품질에 의해 결정되고 산화층과 반도체 사이의 defect나 산화층 내부에 defect에 의해 전자가 잡히게 되고 잡힌 전자에 의해 산화층이 charge를 띄게 되면서 threshold voltage증가한다. 또한 trasconductance가 감소하여 모스펫의 성능이 저하됩니다.
두번째는 tddb현상입니다. 이는 터널링에 의해 발생되고 터널링되는 전자에 의해 산화층 내에서 EHP가 형성된다. 발생된 전자는 반도체 쪽으로 이동하고, 홀은 메탈쪽으로 정렬되어 oxide내에 field가 형성되고 이에따라 oxide band가 tilt되는 현상이다.
추리강의는 복지훈 선생님의 추리강의를 1-2연속해서 들었습니다. 처음 풀어보는 인적성이어서 시간을 재보지 않고 그냥 문제를 해결했는데 정말 어렵고 시간이 오래걸렸습니다ㅜ_ㅜ
하지만 복지훈 선생님의 강의를 들어보니 선생님께서 참인 결론을 따지실 때 밴다이어그램을 이용하여 교집합으로 문제를 해결하시는 점, 또한 표를 이용하여 참과 거짓을 가려내는 풀이법이 정말 많이 도움이 되었습니다!!!!
또한 도형의 규칙을 찾는 부분에서 정말 도움이 많이 되었는데, 가로와 세로로 나누어 변화된 규칙을 찾는 풀이법으로 아예 손도 댈수 없었던 도형문제를 해결할 수 있게 되었습니다!
또한 도형풀이 시 가로와 세로인지 판단하는 것이 중요하다. 그것을 판단한 후에 시계나 반시계 방향으로의 회전 방향을 따져보라는 선생님의 말씀을 되새기며 풀지 못했던 도형 문제들을 해결했습니다!
가로관계 문제해결시에도 문장으로 만들어보거나 이미지를 떠올리라는 선생님의 조언으로 문제를 더욱 정확하게 풀 수 있었습니다. 처음 접해보는 유형의 문제들이 많아 추리영역의 문제풀이가 매우 어려웠는데 확실히 복지훈 선생님의 인적성 추리 풀이강의를 수강하여 문제풀이 방법을 알게 된 후에 문제풀이에 대한 어려움이 많이 사라졌습니다!
많이 부족하지만 앞으로 꾸준한 복습을 통해 빠른 속도로 정확하게 푸는 방법을 터득해야할 것 같습니다^_^
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