4일차 스터디는 인적성 강의를 듣는대신 추리영역 문제풀이로 대체했습니다. 수리영역 강의를 끊어서 듣다보니 흐름이 이어지지 않는 부분이 있어 문제풀이 강의는 내일 올라오는 강의와 함께 마지막 날에 듣는 것으로 계획을 세웠습니다.
4일차 김동민 선생님의 반도체 강의는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합했을 때 발생하는 현상과 에너지 밴드의 변화에 대해 학습했습니다. p형 반도체와 n형 반도체를 접합하면 캐리어의 농도구배에 의해 p형 반도체에 존재하는 홀이 n형 반도체로 이동, n형 반도체에 존재하는 전자가 p형 반도체로 diffusion되고 p형 반도체에 존재하는 홀이 n형으로 diffusion된다. 이때 캐리어와 중성을 이루고 있던 charge가 diffusion된 캐리어 자리에 남게 되고, 이 charge들에 의해 내부에 field가 형성된다. 이떄 field와 캐리어 diffusion이 평형을 이룰 때 depletion region이 형성된다.
depletion region은 도핑농도에 따라 결정되는데 도핑이 높은쪽의 디플리션 영역이 더 짧고, 도핑이 적은 쪽의 디플리션 영역이 더 넓게 형성된다.
p형과 n형 반도체를 접합 시 밴드 벤딩이 형성되고, fermi level의 차이만큼 밴드 벤딩이 형성된다. 이는 electron의 이동에 장벽으로서 작용된다.
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