11번 문제에서 방정식을 세우는 것보다 극단적으로 최소값을 설정하여 답을 구하는 것이 빠르게 해결할 수 있었습니다.
13번 문제처럼 진실과 거짓을 말하는 사람이 다를 경우, 누군가가 거짓이거나 진실이라고 말하는 사람으로 부터 모순되는 것을 찾음으로써 해결할 수 있었습니다.
17번 문제는 15~16번 문제와 달리 왼쪽과 가운데 도형을 조합하여 오른쪽 도형을 추리하는 문제였습니다. 회전, 색깔 모두 고려하여야 정답을 찾을 수 있는 어려운 문제였습니다.
20~23번 문제는 A-Z까지 알파벳들을 나열해서 각 도형이 어떤 연산을 의미하는지를 금방 찾을 수 있었습니다.
Memory 반도체 : Nand Flash / Ram 김동민선생님 강의를 들었습니다.
Flash Memory는 metal을 사용한 Floating gate에서 SiN과 같은 부도체를 사용하는 Charge trap layer 방식으로 바뀜으로써 외부자기장에 대한 안정성을 확보했습니다.
또 SLC->MLC->TLC->QLC로 Date의 bit를 늘림으로써, 집적도를 증가시켰지만 신뢰성과 수명이 감소했습니다.
그리고 기존의 수평으로 Nand를 배열한 2D구조에서 수직으로 배열한 3D Nand를 개발함으로써 집적도를 증가시켜 가격 경쟁력을 향상시켰만, 공정 복잡도가 증가하여 불량가능성이 있다는 단점이 있습니다.
Gate에 전압을 가하여 data를 쓰거나 지우고, Vth변화에 따라서 data를 읽는 특징이 있습니다.
Dram은 WL에 전압을 가할 때마다 동작하며, BL을 1/2에서 1로 올려주면 Cap.에 전압을 걸어줄 수 있습니다. Sense amplifier를 통해 BL의 전압의 상승으로 data를 읽을 수 있습니다. BL을 1/2에서 0으로 낮춰주면 data를 지울 수 있습니다.
차세대 RAM은 PRAM, STT-MRAM, RRAM 세가지를 예로 들 수 있습니다.
이번 스터디를 통해서 혼자 준비하기 막막했던 GSAT 인적성과, 면접대비 반도체 핵심내용들을 익힐 수 있어서 좋은 기회였습니다. 감사합니다!
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